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电路中的场效应管原理图是什么，增强型MOSFET特性与BJT是否相同？
我们已经知道JFET具有双向导电特性，即漏极与源极可以互换，这是有条件的，这个条件就是低电压、小电流，目前常用的小功率JFET的实际应用也恰恰符合这个条件。MOSFET其实也具备这个特性，但MOSFET多为功率器件，常用于大电流、高电压条件，加之内置了体二极管，...www.kiaic.com/article/detail/364.html 2018-03-27
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高稳定输出VMOS续流导通控制电路 mos管怎么导通才是正确的
主绕组N2、N3就是为用电电路供电的主绕组，阴影部分除了C1、C2之外，相当于两个整流二极管，构成了全波整流电路，整流的输出经主滤波电容C3滤波后输出，输出电流可以达到10A而不需要为两个VMOS加独立的散热器。当然，前提是电源变压器的功率容量要足够，主滤波...www.kiaic.com/article/detail/362.html 2018-03-27
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功率MOSFET模块的有助于大功率应用的高效化与小型化
封装的小型化使封装的热阻降低，功率耗散才能进步，相同电压电流规格或者功率规格的产品，个头小的，功率耗散才能更高，这似乎与我们的生活常识有些相悖，但是事实确实如此。VMOS的通态功耗，业界习气于用饱和导通电阻RDS(ON)来权衡，这是不太客观的，由于电流...www.kiaic.com/article/detail/365.html 2018-03-27
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MOSFET模块是什么,它的构造和普通模块有什么区别！
模块中的“管芯”普通称为“单元”，例如两单元模块就包含了两个“管芯”，这些管芯单个封装起来与单管并尤区别。模块中除了管芯一般还会包含续流二极管和一些维护元件，如栅极电阻、热敏电阻等，虽然续流二极管的电压／电流规格并不低于“管芯”，但是并不计人...www.kiaic.com/article/detail/367.html 2018-03-27
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MOS器件的低电压低规格趋势｜材料新应用的方法
低电压规格的VMOS，在功耗方面具有明显的优势，而且电压规格越低，这个优势越明显。电压规格低于100V以后，VMOS的低功耗优势简直是决议性的。其次是IGBT的开展，可以顺应150kHz硬开关的产品曾经上市，而且IGBT在高电压规格和大功率规格方面有着明显的优势。www.kiaic.com/article/detail/368.html 2018-03-27
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结型MOSFET分类|零偏压方法仅适用于耗尽型的MOSFET
耗尽型与增强型、结型与绝缘栅型的，1l路偏置办法迥然不同，但是差异还是有的，因而表5.1列出了场效应管的9种根本电路组态，其间新近上市的增强型JFET的偏置办法能够参考增强型MOSFET。www.kiaic.com/article/detail/369.html 2018-03-27
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常见的PWM专用IC的输出级都能够直接驱动MOS管| 也能够直接驱动VMOS管
工作频率和驱动信号的占空比不是很大，并且VMOS的功率规格也不是很大时，普通并不需求为VMOS配置特地的驱动电路。通用的CMOS半导体(互补金属氧化物品体管逻辑IC)、TTL（晶体管逻辑）集成电路、常见的PWM专用IC的输出级都能够直接驱动VMOS。这种驱动方式普通适用...www.kiaic.com/article/detail/370.html 2018-03-27
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MOS晶体管结构和工作原理的文章,必看
MOS晶体管的符号示于图1.3。MOS晶体管是四端器件：源极(S)、栅极(G)、漏极(D)，以及基底端(B)。基底端在NMOS晶体管中通常衔接电路的负端电源电压Vss，在PMOS晶体管中衔接电路的正端电源电压VDD。电路图中通常省略基底端(B)而采用图1.4所示的符号。两者的关系如...www.kiaic.com/article/detail/371.html 2018-03-27
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cmos器件的特点是什么以及它的作用优势是有什么特点
CMOS器件的第一优点就是省电，静态消耗电流十分小，OP放大器的CMOS输入偏置电流十分小(lpA)。在低电源电压下也具有高速呼应，在笔记本电脑、便携式电话的微处理器等大规模集成电路中，能够在1.8V以下的低电压下作业，也能平行进行高速数据处理，具有出的开关特...www.kiaic.com/article/detail/373.html 2018-03-27
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pmos晶体管和nmos晶体管器件有什么差别｜耗尽型晶体管有什么优势
MOS晶体管的工作中，NMOS晶体管的阈值电压VTN是正值，当VGS= OV时就没有漏极电流流动，这样的晶体管称为增强型晶体管( enhancementtransistor)。图2.10示出增强型NMOS晶体管的电流-电压特性。www.kiaic.com/article/detail/374.html 2018-03-27
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nmos和pmos这两种有什么区别｜pmos晶体管漏极电压条件
PMOS晶体管是在n型基底上构成p+型的源区和漏区。假如采用p型硅衬底，如图1.19所示，在p型衬底上先作成n型基底，把这个n型区域称为n阱( well)。www.kiaic.com/article/detail/376.html 2018-03-27
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MOS晶体管的源极与基底是等电位 n沟MOS晶体管加偏置电压会发生什么状况
在很多，隋况下，MOS晶体管的源极与基底是等电位的。其结果，使图1.31中基底（衬底或者阱）与沟道间的pn结处于零偏置。当源极—基底间加反向（或者正向）偏置电压VSB时，MOS晶体管的阈值电压就会发作变化。www.kiaic.com/article/detail/377.html 2018-03-27
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mos管的栅极-源极之间的电压是什么
4个MOS晶体管，所以如式(7.2)所示的那样，在饱和区下作的MOS晶体管的栅极源极之间的阈值电压VT上必需加额外的电压△ov。图7.4所示的栅源电流源电路中，处于监视侧（左侧）的两个MOS晶体管的栅极电位分别是VT十△ov2（VT+△DV）。这时，为使所定的电流流过M4的源...www.kiaic.com/article/detail/378.html 2018-03-27
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vmos开通电压功耗和关断过程中的关断功耗
就VMOS的开关而言，分布参数的主要要素是结电容，其他影响要素还包括引线、端电极、PN结、管芯本体（基区）的等效分布电容和分布电感，工作频率越高，上述“其他要素”的影响就越大。思索到栅极分布参数的VMOS的开关过程在本书第3章的3.3.4、3.3.5节曾经做了一...www.kiaic.com/article/detail/380.html 2018-03-27